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    10.19】題目: III族氮化物半導體準范德華外延及其光電器件研究
    報告人:王新強 教授
     
    2022-10-19 | 文章來源:先進炭材料研究部        【 】【打印】【關閉

      報告題目: III族氮化物半導體準范德華外延及其光電器件研究

      報 告 人: 王新強 教授

      報告時間: 2022年10月19日(周三)下午15:00

      報告形式: 騰訊線上會議,會議號:219-549-556

      報告人簡介:

      王新強,北京大學博雅特聘教授,2012年獲杰出青年基金,2013-2014年受聘長江特聘教授,2016年獲科技部中青年領軍人才,2018年獲得北京市卓越青年科學家項目?,F任人工微結構和介觀物理國家重點實驗室副主任、凝聚態物理與材料物理研究所所長。長期從事第三代半導體材料、物理與器件研究,開發出大尺寸氮化鋁單晶模板制備技術,實現4英寸氮化鋁單晶模板與4英寸高質量紫外發光二極管(UVC-LED)外延片、大功率深紫外光源;利用邊界溫度外延實現了室溫高電子遷移率氮化銦薄膜,開發出介質襯底上晶圓級氮化硼單晶薄膜制備技術;開發出多波段高效率LEDs及其microLEDs,實現了氮化鎵基單光子發射原型器件。相關研究成果獲2018年度國家技術發明二等獎(第三完成人),部分技術實現產業化。

     
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